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參數(shù)資料
| 型號： | KM416S4020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 200萬× 16 × 2銀行同步DRAM（2米× 16位x2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 42/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 597K |
| 代理商： | KM416S4020B |
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ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
TIMING DIAGRAM - II
CMOS SDRAM
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Self Refresh Entry & Exit Cycle
Self Refresh Entry
: Don't care
*Note 1
*Note 7
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Hi-Z
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Hi-Z
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Self Refresh Exit
Auto Refresh
tSS
*Note 2
*Note 3
*Note 4
tRFCmin
*Note 6
*Note 5
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
*Note :
TO ENTER SELF REFRESH MODE
1. CS, RAS & CAS with CKE should be low at the same clcok cycle.
2. After 1 clock cycle, all the inputs including the system clock can be don't care except for CKE.
3. The device remains in self refresh mode as long as CKE stays
cf.) Once the device enters self refresh mode, minimum t
"Low".
RAS
is required before exit from self refresh.
TO EXIT SELF REFRESH MODE
4. System colck restart and be stable before returning CKE high.
5. CS starts from high.
6. Minimum t
RFC
is required after CKE going high to complete self refresh exit.
7. 4K cycle of burst auto refresh is required before self refresh entry and after self refresh exit if the system uses burst ref
resh.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S4021B | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動態(tài)RAM) |
| KM416S4030B | 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM) |
| KM416S4031B | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| KM416S4031C | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KM416S4030CT-F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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