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參數(shù)資料
| 型號： | KM416S4020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 200萬× 16 × 2銀行同步DRAM（2米× 16位x2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 19/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 597K |
| 代理商： | KM416S4020B |
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CMOS SDRAM
DEVICE OPERATIONS - II
ELECTRONICS
REV. 3 Feb. '98
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note :
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
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0
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1
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0
RD
WR
RD
WR
Hi-Z
Hi-Z
RD
WR
Q
0
D
1
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2
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3
D
0
Note 1
Hi-Z
(a) CL=2, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
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2
RD
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3
WR
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0
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1
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RD
WR
RD
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RD
WR
RD
WR
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2
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3
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0
Hi-Z
Note 1
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S4021B | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動態(tài)RAM) |
| KM416S4030B | 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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