- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374354 > KM416C4000B (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位CMOS 動態(tài)RAM（帶快速頁模式）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KM416C4000B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位CMOS 動態(tài)RAM（帶快速頁模式）) |
| 中文描述： | 4米× 16位的快速頁面模式的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶快速頁模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 7/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 751K |
| 代理商： | KM416C4000B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁
KM416C4000B,
KM416C4100B
CMOS DRAM
TEST MODE CYCLE
Parameter
Symbol
-45
-5
-6
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
85
95
115
ns
Read-modify-write cycle time
t
RWC
120
138
160
ns
Access time from RAS
t
RAC
50
55
65
ns
3,4,10,12
Access time from CAS
t
CAC
17
18
20
ns
3,4,5,12
Access time from column address
t
AA
28
30
35
ns
3,10,12
RAS pulse width
t
RAS
50
10K
55
10K
65
10K
ns
CAS pulse width
t
CAS
17
10K
18
10K
20
10K
ns
RAS hold time
t
RSH
17
18
20
ns
CAS hold time
t
CSH
50
55
65
ns
Column Address to RAS lead time
t
RAL
28
30
35
ns
CAS to W delay time
t
CWD
37
41
43
ns
7
RAS to W delay time
t
RWD
72
78
88
ns
7
Column Address to W delay time
t
AWD
48
53
58
ns
7
Fast Page mode cycle time
t
PC
36
40
45
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle time
t
PRWC
75
81
90
ns
RAS pulse width (Fast Page cycle)
t
RASP
50
200K
55
200K
65
200K
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
31
35
40
ns
3
OE access time
t
OEA
17
18
20
ns
OE to data delay
t
OED
17
18
18
ns
OE command hold time
t
OEH
17
18
20
ns
( Note 11 )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C4104B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS 動態(tài)RAM（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）) |
| KM416C4004B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS 動態(tài)RAM（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）) |
| KM416RD4C | Direct Rambus DRAM(Direct Rambus 動態(tài)RAM) |
| KM416S1021CT-G7 | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-G8 | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416C4000C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C4004C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416C4100B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C4100BS-6 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:4M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, 50 Pin Plastic SMT |
| KM416C4100C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。