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參數(shù)資料
| 型號： | KM416C254DL |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(256K x 16位 CMOS 動態(tài)RAM（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）) |
| 中文描述： | 256 × 16位分辨率的CMOS擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)存儲器（256K × 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶擴展數(shù)據(jù)輸出）） |
| 文件頁數(shù)： | 4/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 777K |
| 代理商： | KM416C254DL |
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KM416C254D/DL, KM416V254D/DL
CMOS DRAM
*Note :
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
and I
CC6
are dependent on output loading and cycle rates. Specified values are obtained with the output open.
I
CC
is specified as an average current. In I
CC1
, I
CC3
, I
CC6
and I
CC7,
address can be changed maximum once while RAS=V
IL
. In
I
CC4
, address can be changed maximum once within one Hyper page mode cycle time,
t
HPC
.
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
(Continued)
I
CC1
* : Operating Current (RAS and UCAS, LCAS, Address cycling @
t
RC
=min.)
I
CC2
: Standby Current (RAS=UCAS=LCAS=W=V
IH
)
I
CC3
* : RAS-only Refresh Current (UCAS=LCAS=V
IH
, RAS, Address cycling @
t
RC
=min.)
I
CC4
* : Extended Data Out Mode Current (RAS=V
IL
, UCAS or LCAS, Address cycling @
t
HPC
=min.)
I
CC5
: Standby Current (RAS=UCAS=LCAS=W=V
CC
-0.2V)
I
CC6
* : CAS-Before-RAS Refresh Current (RAS and UCAS or LCAS cycling @
t
RC
=min.)
I
CC7
: Battery back-up current, Average power supply current, Battery back-up mode
Input high voltage(V
IH
)=V
CC
-0.2V, Input low voltage(V
IL
)=0.2V, UCAS, LCAS=0.2V,
Din=Don
′
t care, T
RC
=125us, T
RAS
=T
RAS
min~300ns
I
CCS
: Self Refresh Current
RAS=UCAS=LCAS=V
IL
, W=OE=A0 ~ A8=V
CC
-0.2V or 0.2V,
DQ0 ~ DQ15=V
CC
-0.2V, 0.2V or Open
Symbol
Power
Speed
Max
Units
KM416V254D
KM416C254D
I
CC1
Don
′
t care
-5
-6
-7
-
70
65
110
90
80
mA
mA
mA
I
CC2
Don
′
t care
Don
′
t care
1
2
mA
I
CC3
Don
′
t care
-5
-6
-7
-
70
65
110
90
80
mA
mA
mA
I
CC4
Don
′
t care
-5
-6
-7
-
60
55
90
80
70
mA
mA
mA
I
CC5
Normal
L
Don
′
t care
0.5
100
1
150
mA
uA
I
CC6
Don
′
t care
-5
-6
-7
-
70
65
110
90
80
mA
mA
mA
I
CC7
L
Don
′
t care
200
300
uA
I
CCS
L
Don
′
t care
100
200
uA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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