參數(shù)資料
型號: KM29V16000ATS
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND 閃速存儲器)
中文描述: 200萬× 8位NAND閃存(2米× 8位的NAND閃速存儲器)
文件頁數(shù): 9/21頁
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代理商: KM29V16000ATS
KM29V16000ATS
FLASH MEMORY
9
* Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
I/O
0 ~ 7
Command
* Address Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
I/O
0 ~ 7
A
0
~A
7
A
8
~A
15
A
16
~A
20
t
CLS
t
CLH
t
CH
t
ALH
t
WP
t
ALS
t
DS
t
DH
t
CS
t
CLS
t
CS
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WC
t
WC
t
WP
t
WH
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WP
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WH
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ALS
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DS
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DH
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DH
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DS
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DH
t
ALH
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WP
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DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM29V16000AT 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲器)
KM29V32000IT FLASH MEMORY
KM29V32000TS 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲器)
KM29V32000T 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲器)
KM29V64000R FLASH
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參數(shù)描述
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KM29V32000T 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KM29V32000TS 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64000R 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH
KM29V64000TS 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY