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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29V16000ATS |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND 閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬× 8位NAND閃存（2米× 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 21/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 252K |
| 代理商： | KM29V16000ATS |
KM29V16000ATS
FLASH MEMORY
21
PACKAGE DIMENSIONS
Unit :mm/Inch
0~8
°
0
0.805
0.032
#1
44(40) LEAD PLASTIC THIN SMALL OUT-LINE PACKAGE TYPE(II)
0
#22(20)
#44(40)
#23(21)
0.35
±
0.10
0.014
±
0.004
0.80
0.0315
M
0
1M
18.41
±
0.10
0.725
±
0.004
0.741
+0.10
-0.05
+0.004
-0.002
0.15
0.006
1
0
44(40) - TSOP2 - 400F
0.10
0.004
0.50
0.020
0.25
0
0
0
±
1
±
0
MAX
1
±
0
0
±
0
(
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29V16000AT | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V32000IT | FLASH MEMORY |
| KM29V32000TS | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V32000T | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29V64000R | FLASH |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29V32000IT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V32000T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KM29V32000TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64000R | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH |
| KM29V64000TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY |
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