參數(shù)資料
型號： KGF2236
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： Dual Monolithic GaAs Power FET(雙路單片砷化稼功率場效應(yīng)管)
中文描述： 雙單片GaAs功率場效應(yīng)管（雙路單片砷化稼功率場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 135K
代理商： KGF2236
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KGF2236
electronic components
RF CHARACTERISTICS
Macthing condition
G
S1
G
L1
KGF2236
G
S2
G
L2
Normalized source impedance of 1st-stage
Normalized load impedance of 1st-stage
Normalized source impedance of final-stage
Normalized load impedance of final-stage
GS1 = 0.323 + j0.940
GL1 = 0.046 + j0.487
GS2 = 0.032 + j0.124
GL2 = 0.088 + j0.035
33
80
31
70
29
60
27
50
25
40
23
30
21
20
19
10
17
–12
–7
–2
Input Power Pin [dBm]
Po and P.A.E. vs. Pin
O
P
[
3
8
0
Vds = 3.5 V
IdsQ1 = 80 mA
IdsQ2 = 200 mA
freq = 835 MHz
P.A.E
Pout
Drain Voltage Vds [V]
Pout and P.A.E. vs. Vds
O
P
[
33
70
32.5
67
32
64
31.5
64
31
58
30.5
55
30
2.7
52
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
f = 835 MHz
IdsQ1 = 80 mA
IdsQ2 = 200 mA
Macthing Condition:
(Refer to SS.3)
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PDF描述
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