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參數(shù)資料
| 型號： | KGF1322S |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | Power FET (Ceramic Package Type)(陶瓷封裝型的功率場效應(yīng)晶體管) |
| 中文描述： | 功率場效應(yīng)晶體管（陶瓷封裝型）（陶瓷封裝型的功率場效應(yīng)晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | KGF1322S |
3/7
KGF1322S
electronic components
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
*1 Condition: f = 850 MHz, V
DS
= 5.8 V, I
DSQ
= 240 mA
Item
V
DS
V
GS
I
DS
Symbol
Condition
Ta = 25°C
Max.
10
0.4
3
Unit
V
V
A
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
P
tot
T
ch
T
stg
Ta = 25°C
Ta = 25°C
—
—
5
150
125
W
°C
°C
Min.
—
–6.0
—
—
—
–45
Ta = Tc = 25°C
Item
P
O
h
D
R
th
Symbol
I
GSS
Condition
Max.
0.1
Unit
mA
Output power
Drain efficiency
Thermal resistance
—
—
—
dBm
%
°C/W
Min.
—
33.0
60
—
(*1), P
IN
= 22 dBm
(*1), P
IN
= 22 dBm
Channel to case
Typ.
—
—
—
18
(Ta = 25°C)
V
GS(off)
Gate-source cut-off voltage
–2.6
V
–3.6
V
DS
= 3 V, I
DS
= 4 mA
—
I
DSS
Drain current
—
A
2.0
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
—
I
DS(off)
Drain-source leakage current
1.5
mA
—
V
DS
= 10 V, V
GS
= –6 V
—
I
GDO
Gate-drain leakage current
0.5
mA
—
V
GD
= –16 V
—
Gate-source leakage current
V
GS
= –6 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KGF1322 | Power FET (Ceramic Package Type)(陶瓷封裝型的功率場效應(yīng)晶體管) |
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| KGF1323 | Power FET(Plastic Package Type) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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