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參數(shù)資料
| 型號： | KDV275E |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND) |
| 中文描述： | 變?nèi)荻O管外延硅平面二極管（振蕩器的超高頻/甚高頻波段） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 391K |
| 代理商： | KDV275E |
2003 1. 27
2/2
Revision No : 0
KDV275E
V
0.90
0
REVERSE VOLTAGE V (V)
C(Ta)/C(25 C) - V
C - V
REVERSE VOLTAGE V (V)
C
R
1
2
3
4
0.94
0.98
1.02
R
R
T
10f
0
REVERSE VOLTAGE V (V)
I - V
R
12
16
100f
1p
10p
100p
Ta=85 C
20
Ta=55 C
Ta=25 C
1
500
Ta=25 C
V =4V
100
FREQUENCY f (MHz)
50
300
1K
0.7
r - f
S
)
s
0.5
C
Ta=-55 C
3
0
1
2
3
4
5
10
30
4
8
10
F
500
0
REVERSE VOLTAGE V (V)
R
Q - V
1
2
3
4
30
50
100
300
1.06
1.10
R
Ta=-15 C
Ta=25 C
Ta=55 C
Ta=85 C
C/Ta - V
REVERSE VOLTAGE V (V)
0
100
R
1
2
3
4
300
500
3K
1k
f=1MHz
Ta=-55 C~+85 C
C
Ta=25 C
f=1MHz
f=50MHz
f=100MHz
f=300MHz
f=470MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KDV275 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND) |
| KDV287E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(UHF SHF TUNING) |
| KDV287 | RESISTOR, 20, 1%, 1/16W, 50V, 300PPM/C, 0402 |
| KDV350E | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO) |
| KDV350 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KDV287 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(UHF SHF TUNING) |
| KDV287E | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(UHF SHF TUNING) |
| KDV300 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:USC PACKAGE |
| KDV300E | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:ESC PACKAGE |
| KDV300V | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:VSC PACKAGE |
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