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參數(shù)資料
| 型號： | K9F6408U0M-TIB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 8米× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | K9F6408U0M-TIB0 |
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K9F6408U0A-TCB0, K9F6408U0A-TIB0
FLASH MEMORY
21
Figure 5. Sequential Row Read1 Operation
Figure 4. Read2 Operation
50h
A
0
~ A
3
& A
9
~ A
22
Data Output(Sequential)
Spare Field
CE
CLE
ALE
R/B
WE
1st half array 2nd half array
Data Field
Spare Field
(SE=L, 00h Command)
1st half array 2nd half array
Data Field
Spare Field
00h
01h
A
0
~ A
7
& A
9
~ A
22
I/O
0
~
7
R/B
Start Add.(3Cycle)
Start Add.(3Cycle)
Data Output
Data Output
Data Output
1st
2nd
Nth
(528 Byte)
(528 Byte)
(A
4
~ A
7
:
Don't Care)
1st
2nd
Nth
(SE=L, 01h Command)
1st half array 2nd half array
Data Field
Spare Field
1st
2nd
Nth
(SE=H, 00h Command)
1st half array 2nd half array
Data Field
Spare Field
1st
2nd
Nth
I/O
0
~
7
RE
t
R
t
R
t
R
t
R
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F6408U0C-B | 8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408U0C-Q | 8M x 8 Bit Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408U0B-TCB0 | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408U0B-TIB0 | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F6408U0B | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F8008W0M- | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 8 bit NAND Flash Memory |
| K9F8008W0M-TCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 8 bit NAND Flash Memory |
| K9F8008W0M-TIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 8 bit NAND Flash Memory |
| K9F8G08U0M-PCK0000 | 制造商:Samsung 功能描述:K9F8G08U0M-PCK0000NAND FLASH - Trays |
| K9G4G08B0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Preliminary FLASH MEMORY |
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