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參數(shù)資料
| 型號： | K596-TO-92S |
| 廠商： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 英文描述： | Si N-CHANNEL JUNCTION FET |
| 中文描述： | 氮化硅通道結(jié)場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 596K |
| 代理商： | K596-TO-92S |
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors
K596
Si N-CHANNEL JUNCTION FET
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.1W
Gate Current
I
G
: 10mA
Drain current
I
D
: 1mA
Drain-Source voltage
BV
GDO
: -20 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
T
stg
: -55
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb=25
to +150
Tamb=25
unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Gate-Drain breakdown Voltage
BV
GDO
I
G
= -100
A
-20
V
Gate-Source cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 5V , I
D
=1
A
-0.6
-1.5
V
Drain Current
I
DSS
V
DS
= 5 V , V
GS
=0
100
800
A
Forward Transfer Admittance
|Y
FS
|
V
DS
= 5V , V
GS
=0, f=1KHz
0.4
1.2
Input Capacitance
C
iss
V
DS
=5V, V
GS
=0, f=1MHz
3.5
pF
Output Capacitance
C
RSS
V
DS
= 5 V, V
GS
=0
f =
1MHz
0.65
pF
I
DSS
Classification
Classification
A
B
C
D
E
I
DSS
(μA)
100-170
150-240
210-350
320-480
440-800
1.SOURCE
2.GATE
3.DRAIN
123
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K5A3280YBC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3280YBC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3280YTC-T755 | MCP MEMORY |
| K5A3280YTC-T855 | MCP MEMORY |
| K5A3380YBC-T755 | MCP MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K596-X-T9S-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS |
| K5-99-171-07 | 制造商:Southco 功能描述: |
| K-59-EXL-AG | 制造商:Sato Parts USA 功能描述: |
| K-59-EXL-B | 制造商:Sato Parts USA 功能描述: |
| K-59-L-AG | 制造商:Sato Parts USA 功能描述: |
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