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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4T51043QC-ZCLD6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CAP 33PF 3000V 5% NP0(C0G) SMD-1808 TR-7 PLATED-NI/SN |
| 中文描述： | 葷的512Mb芯片DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 5/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 629K |
| 代理商： | K4T51043QC-ZCLD6 |
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Page 5 of 29
Rev. 1.4 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
512Mb C-die DDR2 SDRAM
x8 package pinout (Top View) : 60ball FBGA Package
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
VDD
NU/
RDQS
VSS
DQ6
VSSQ
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
DQS
DQS
DQ7
DQ0
VDDQ
DQ2
VSSQ
DQ5
VSSDL
VDD
CK
RAS
CK
CAS
CS
A2
A6
A4
A11
A8
NC
A13
NC
A12
A9
A7
A5
A0
VDD
A10/AP
VSS
VDDQ
VSSQ
DQ1
DQ3
DQ4
VDDL
A1
A3
BA1
VREF
VSS
CKE
WE
BA0
VDD
VSS
DM/
NC
ODT
Notes
:
1.
2.
Pins B3 and A2 have identical capacitance as pins B7 and A8.
For a read, when enabled, strobe pair RDQS & RDQS are
identical in function and timing to strobe pair DQS & DQS and
input masking function is disabled.
The function of DM or RDQS/RDQS are enabled by EMRS
command.
VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL.
3.
4.
+
+
+
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+
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+
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+
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A
B
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G
H
J
K
L
+
+
Ball Locations (x8)
: Populated Ball
+ : Depopulated Ball
Top View
(See the balls through the Package)
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2
3
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T51043QC-ZCE6 | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCE7 | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCD6 | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCCC | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZLD5 | OSC 3.3V SMT 7X5 CMOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4T51043QC-ZCLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZLCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZLD5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZLE7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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