參數(shù)資料
型號(hào)： K4T1G164QA-ZCE6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification
中文描述： 1GB的芯片DDR2內(nèi)存規(guī)格
文件頁(yè)數(shù)： 26/28頁(yè)
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代理商： K4T1G164QA-ZCE6
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Rev. 1.1 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
1G A-die DDR2 SDRAM
29. Input waveform timing with differential data strobe enabled MR[bit10]=0, is referenced from the input signal crossing at the V
IH(ac)
level to the differ-
ential data strobe crosspoint for a rising signal, and from the input signal crossing at the V
IL(ac)
level to the differential data strobe crosspoint for a falling
signal applied to the device under test.
30. Input waveform timing with differential data strobe enabled MR[bit10]=0, is referenced from the input signal crossing at the V
IH(dc)
level to the differ-
ential data strobe crosspoint for a rising signal and V
IL(dc)
to the differential data strobe crosspoint for a falling signal applied to the device under test.
tHZ
tRPST end point
T1
T2
VOH + x mV
VOH + 2x mV
VOL + 2x mV
VOL + x mV
tLZ
tRPRE begin point
T2
T1
VTT + 2x mV
VTT + x mV
VTT - x mV
VTT - 2x mV
tLZ,tRPRE begin point = 2*T1-T2
tHZ,tRPST end point = 2*T1-T2
<Test method for tLZ, tHZ, tRPRE and tRPST>
tDS
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF(dc)
V
IL(dc)
max
V
IL(ac)
max
V
SS
DQS
DQS
tDH
tDS
tDH
Differential Input waveform timing
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4T1G044QM-ZCCC 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G084QM-ZCCC 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G164QM-ZCCC 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G044QM 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G044QM-ZCD5 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
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參數(shù)描述
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