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參數資料
| 型號： | K4T1G044QM-ZCD5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的的M -模DDR2 SDRAM的規(guī)格 |
| 文件頁數： | 13/28頁 |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | K4T1G044QM-ZCD5 |
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Rev. 1.1 Aug. 2005
DDR2 SDRAM
1G A-die DDR2 SDRAM
Differential input AC logic Level
Notes :
1. V
ID
(AC) specifies the input differential voltage |VTR -VCP | required for switching, where VTR is the true input signal (such as CK, DQS, LDQS or
UDQS) and VCP is the complementary input signal (such as CK, DQS, LDQS or UDQS). The minimum value is equal to V
IH
(AC) - V
IL
(AC).
2. The typical value of V
IX
(AC) is expected to be about 0.5 * V
DDQ
of the transmitting device and V
IX
(AC) is expected to track variations in V
DDQ
. VIX(AC)
indicates the voltage at which differential input signals must cross.
Differential AC output parameters
Note :
1. The typical value of V
OX
(AC) is expected to be about 0.5 * V
DDQ
of the transmitting device and V
OX
(AC) is expected to track variations in V
DDQ
.
V
OX
(AC) indicates the voltage at which differential output signals must cross.
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
Notes
V
ID
(AC)
AC differential input voltage
0.5
V
DDQ
+ 0.6
V
1
V
IX
(AC)
AC differential cross point voltage
0.5 * V
DDQ
- 0.175
0.5 * V
DDQ
+ 0.175
V
2
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
Note
V
OX
(AC)
AC differential cross point voltage
0.5 * V
DDQ
- 0.125
0.5 * V
DDQ
+ 0.125
V
1
V
DDQ
Crossing point
V
SSQ
V
TR
V
CP
V
ID
V
IX or
V
OX
< Differential signal levels >
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4T1G084QM-ZCD5 | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G164QM-ZCD5 | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T51043QC-ZLCC | DIN Audio Connector; No. of Contacts:8; Contact Termination:Solder; Gender:Male RoHS Compliant: Yes |
| K4T51043QC-ZCLCC | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
| K4T51043QC-ZCLD5 | 512Mb C-die DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4T1G044QQ | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G044QQ-HC(L)E6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G044QQ-HC(L)E7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G044QQ-HC(L)F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
| K4T1G044QQ-HCE6TE | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GBIT DDR2-400 SDRAM, 32M X4 BIT X8 BANK - Bulk |
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