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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S643233H-FE |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Mobile-SDRAM |
| 中文描述： | 移動(dòng)SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | K4S643233H-FE |
K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F
February 2004
Mobile-SDRAM
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
A0
0
0
0
1
2
3
0
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0
1
2
3
2
1
0
2. BURST LENGTH = 8
Initial Address
Sequential
Interleave
A2
A1
A0
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S643233H-FHE | Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-G | Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-L | Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-N | Mobile-SDRAM |
| K4T1G044QA | 1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S643233H-FHE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-G | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-HN75000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3V 90-Pin FBGA |
| K4S643233H-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
| K4S643233H-N | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Mobile-SDRAM |
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