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參數(shù)資料
| 型號： | K4S641632K |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64Mb K-die SDRAM |
| 中文描述： | 64兆的K - SDRAM內(nèi)存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 12/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | K4S641632K |
K4S640832K
K4S641632K
Synchronous DRAM
Rev. 1.1 February 2006
12 of 14
I
OH
Characteristics (Pull-up)
Voltage
200MHz/133MHz
Min
I (mA)
-
-
-0.35
-3.75
-6.65
-13.75
-17.75
-20.55
-23.55
-26.2
-36.25
-46.5
200MHz/133MHz
Max
I (mA)
-1.68
-19.11
-51.87
-90.44
-107.31
-137.9
-158.34
-173.6
-188.79
-199.01
-241.15
-351.68
(V)
3.45
3.30
3.00
2.70
2.50
1.95
1.80
1.65
1.50
1.40
1.00
0.20
IBIS SPECIFICATION
I
OL
Characteristics (Pull-down)
200MHz/133MHz
Voltage
Min
I (mA)
43.92
-
43.36
41.20
40.56
39.60
38.40
37.28
30.08
26.64
21.52
14.16
200MHz/133MHz
Max
I (mA)
155.82
-
153.72
148.40
146.02
141.75
136.08
131.39
105.84
93.66
75.25
49.14
(V)
3.45
3.30
3.00
1.95
1.80
1.65
1.50
1.40
1.00
0.85
0.65
0.40
0
-100
-200
-300
-400
-500
-600
0
3
0.5
1
1.5
2
2.5
3.5
Voltage
m
250
200
150
100
50
0
0
3
0.5
1
1.5
2
2.5
3.5
Voltage
m
200MHz/133MHz Pull-up
200MHz/133MHz Pull-down
I
OH
Min (200MHz / 133MHz)
I
OH
Max (200MHz / 133MHz)
I
OL
Min (200MHz / 133MHz)
I
OL
Max (200MHz / 133MHz)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S641632E-TC1H | 64Mbit SDRAM |
| K4S641632E-TC50 | 64Mbit SDRAM |
| K4S641632E-TC55 | 64Mbit SDRAM |
| K4S641632E-TC60 | 64Mbit SDRAM |
| K4S641632E-TC70 | 64Mbit SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S641632K-T(U)C/L50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mb K-die SDRAM |
| K4S641632K-T(U)C/L60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mb K-die SDRAM |
| K4S641632K-T(U)C/L75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mb K-die SDRAM |
| K4S641632K-TUC/L50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mb K-die SDRAM |
| K4S641632K-TUC/L60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mb K-die SDRAM |
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