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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S281632B-N |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM in sTSOP |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 16 × 4銀行同步DRAM在sTSOP |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/14頁(yè) |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | K4S281632B-N |
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SDRAM 128Mb E-die (x4, x8, x16)
CMOS SDRAM
Rev. 1.4 February. 2004
Bank Select
Data Input Register
8M x 4 / 4M x 8 / 2M x 16
8M x 4 / 4M x 8 / 2M x 16
S
O
I
Column Decoder
Latency & Burst Length
Programming Register
A
R
R
R
C
L
L
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
L(U)DQM
LWE
LDQM
DQi
CLK
ADD
LCAS
LWCBR
8M x 4 / 4M x 8 / 2M x 16
8M x 4 / 4M x 8 / 2M x 16
Timing Register
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S280432E | 128Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S280432E-TC75 | 128Mb E-die SDRAM Specification |
| K4S280832F-TC75 | RES, 16.9, 1/16W, TKF, 1%, 0603 |
| K4S280832F-TCL75 | 128Mb F-die SDRAM Specification |
| K4S280832F-UL75 | 128Mb F-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S281632B-NC/L1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM in sTSOP |
| K4S281632B-NC/L1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM in sTSOP |
| K4S281632B-TC10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632B-TC1H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S281632B-TC1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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