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參數(shù)資料
| 型號： | K4H640438M-TCA0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 4.3Vz 5mA-Izt 0.0698 0.1uA-Ir SOT-23 3K/REEL |
| 中文描述： | 128MB DDR SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 53/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | K4H640438M-TCA0 |
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- 53 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
QFC timing example for interrupted Writes operation
DQS
DQ’S
2
0
1
5
3
4
6
7
Hi-Z
QFC
t
QCSW
Dout 0 Dout 1
BL = 8
Write
Command
CK
CK
Figure 29. : QFC timing example for Interrupted writes operation
t
QCHWI max
Precharge
Dout 2 Dout 3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H1G0438M-TCA0 | DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 5.1Vz 5mA-Izt 0.0588 0.1uA-Ir 0.8 SOT-23 3K/REEL |
| K4H640838M-TCA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H280838M-TCA0 | DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 5.6Vz 5mA-Izt 0.0714 0.1uA-Ir 1 SOT-23 3K/REEL |
| K4H1G0838M-TCA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H641638M-TCA0 | DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 6.8Vz 5mA-Izt 0.0588 0.1uA-Ir 3 SOT-23 3K/REEL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H640438M-TCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H640438M-TCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H640438M-TLA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H640438M-TLA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H640438M-TLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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