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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H561638A-TLB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mb DDR SDRAM |
| 中文描述： | 128MB DDR SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/18頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | K4H561638A-TLB0 |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb D-die (x8, x16)
Rev. 1.1 Feb. 2003
Units : Millimeters
0.30
±
0.08
0.65TYP
0.65
±
0.08
(0.71)
22.22
±
0.10
0.125
(
1
±
0
0
×
~8
×
#1
#33
#66
#34
(1.50)
(
1
±
0
1
(
(
(
1
±
0
(10
×
)
(10
×
)
-0.035
(
0.10 MAX
0.075 MAX
[
]
0
(10
×
)
(10
×
)
(R015)
0
±
0
0
±
0
(R015
(
×
)
(02)
(R025
0
0.25TYP
NOTE
1. ( ) IS REFERENCE
2. [ ] IS ASS
’
Y OUT QUALITY
66pin TSOPII / Package dimension
Package Physical Demension
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H561638B-TCA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H561638D-GCA2 | DIODE ZENER SINGLE 200mW 28Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 21.2 SOD-323 3K/REEL |
| K4H561638D-GCB0 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 30Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 22.8 SOD-123 3K/REEL |
| K4H561638D-GCB3 | DIODE ZENER SINGLE 150mW 30Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 22.8 SOD-523 3K/REEL |
| K4H561638D-GLA2 | DIODE ZENER SINGLE 200mW 33Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 25 SOD-323 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H561638B-TCA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H561638B-TCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H561638B-TCA2000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II Tray |
| K4H561638B-TCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H561638B-TLA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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