參數(shù)資料
型號(hào)： K4H560838E-ZLB3
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Connector Kit; Contents Of Kit:C14610G0246001 24 position hood PG 21 double latch low profile top entry, C14610A0241021 24 position male insert wire protect, VN162100014 PG 21 gland bushing, For 0.433" - 0.866" diameter cable RoHS Compliant: Yes
中文描述： 256Mb的電子芯片與DDR SDRAM的規(guī)格鉛60 FBGA封裝，免費(fèi)（符合RoHS）
文件頁(yè)數(shù)： 1/19頁(yè)
文件大小： 171K
代理商： K4H560838E-ZLB3
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Rev. 1.1 August. 2003
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
Revision 1.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H560838E-ZCA2 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 150mW 5.6Vz 0.05mA-Izt 0.05 2uA-Ir 4 SOD-523 3K/REEL
K4H560838D-GCA2 DIODE ZENER SINGLE 500mW 28Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 21.2 SOD-123 3K/REEL
K4H560838D-GCB0 DIODE ZENER SINGLE 150mW 28Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 21.2 SOD-523 3K/REEL
K4H560838D-GCB3 DIODE ZENER SINGLE 200mW 30Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 22.8 SOD-323 3K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H560838F-TC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
K4H560838F-TC/LA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-TC/LAA 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-TC/LB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-TC/LB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256Mb F-die DDR SDRAM Specification
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