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參數(shù)資料
| 型號： | K4H560438E-GLB3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER SINGLE 300mW 39.13Vz 5mA-Izt 0.02518 0.05uA-Ir 30 SOT-23 3K/REEL |
| 中文描述： | 256Mb的電子芯片DDR SDRAM內(nèi)存規(guī)格60Ball FBGA封裝（x4/x8） |
| 文件頁數(shù)： | 20/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 291K |
| 代理商： | K4H560438E-GLB3 |
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- 20 -
K4H560838D
DDR SDRAM
Rev. 2.2 Mar. ’03
AC Operating Test Conditions
Input/Output Capacitance
(VDD=2.5, VDDQ=2.5V, TA= 25
°
C, f=1MHz)
Parameter
Symbol
Min
Max
Delta Cap(max)
Unit
Input capacitance
(A0 ~ A12, BA0 ~ BA1, CKE, CS, RAS,CAS, WE)
CIN1
1.5
3.5
0.5
pF
Input capacitance( CK, CK )
CIN2
1.5
3.5
0.25
pF
Data & DQS input/output capacitance
COUT
3.5
5.5
0.5
pF
Input capacitance(DM)
CIN3
3.5
5.5
pF
Output Load Circuit (SSTL_2)
Output
Z0=50
C
LOAD
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
R
T
=50
V
tt
=0.5*V
DDQ
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 0 to 70
°
C)
Parameter
Value
Unit
Note
Input reference voltage for Clock
0.5 * V
DDQ
V
Input signal maximum peak swing
1.5
V
Input signal minimum slew rate (for imput only)
0.5
V/ns
Input slew rate (I/O pins)
0.5
V/ns
Input Levels(V
IH
/V
IL
)
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
Input timing measurement reference level
V
REF
V
Output timing measurement reference level
V
tt
V
Output load condition
See Load Circuit
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PDF描述 |
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