參數(shù)資料
型號(hào)： K4H1G3238A-TCA0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DIODE ZENER SINGLE 150mW 8.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 6.2 SOD-523 3K/REEL
中文描述： 128MB DDR SDRAM的
文件頁數(shù)： 6/53頁
文件大小： 669K
代理商： K4H1G3238A-TCA0
- 6 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
Table 1 : Operating frequency and DLL jitter 10
Table 2. : Column address configurtion
Table 3 : Input/Output function description 12
Table 4 : Burst address ordering for burst length
Table 5 : Bank selection for precharge by bank address bits 19
Table 6 : Operating description when new command asserted while
read with auto precharge is issued
Table 7 : Operating description when new command asserted while
write with auto precharge is issued
Table 8 : Command truth table
Table 9-1 : Functional truth table 35
Table 9-2 : Functional truth table (contiued)
Table 9-3 : Functional truth table (contiued) 37
Table 9-4 : Functional truth table (contiued)
Table 9-5 : Functional truth table (cotinued)
Table 10 : Absolute maximum raings
Table 11 : DC operating condtion
Table 12 : DC specification
Table 13 : AC operating condition
Table 14 : AC timing parameters and specifications
Table 15 : AC operating test conditions
Table 16 : Input/Output capacitance
Table 17 : Pull down and pull up current values
List of tables
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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K4H640438M-TCA0 DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 4.3Vz 5mA-Izt 0.0698 0.1uA-Ir SOT-23 3K/REEL
K4H1G0438M-TCA0 DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 5.1Vz 5mA-Izt 0.0588 0.1uA-Ir 0.8 SOT-23 3K/REEL
K4H640838M-TCA0 128Mb DDR SDRAM
K4H280838M-TCA0 DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 5.6Vz 5mA-Izt 0.0714 0.1uA-Ir 1 SOT-23 3K/REEL
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參數(shù)描述
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K4H1G3238A-TLA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
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