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參數(shù)資料
| 型號： | K4H1G0438M-UCB3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| 中文描述： | 1Gb的的M -模與鉛DDR SDRAM的規(guī)格66 TSOP-II免費(fèi)（符合RoHS） |
| 文件頁數(shù)： | 9/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | K4H1G0438M-UCB3 |
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
1. Key Features
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Four banks operation
Differential clock inputs(CK and CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
MRS cycle with address key programs
-. Read latency 2, 2.5 (clock)
-. Burst length (2, 4, 8)
-. Burst type (sequential & interleave)
All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)
Data I/O transactions on both edges of data strobe
Edge aligned data output, center aligned data input
LDM,UDM/DM for write masking only
Auto & Self refresh
15.6us refresh interval(4K/64ms refresh)
Maximum burst refresh cycle : 8
66pin TSOP II package
1.1 Features
1.2 Operating Frequencies
*CL : Cas Latency
Table 1. Operating frequency and DLL jitter
- A2(DDR266A)
133MHz@CL2
-
±0.75ns
- B0(DDR266B)
100MHz
133MHz
±0.75ns
- A0(DDR200)
100MHz
-
±0.8ns
Speed @CL2
Speed @CL2.5
DLL jitter
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H1G0438M-ULA2 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-ULB0 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-ULB3 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838D-TLA2 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838D-TLB0 | RES, CHIP 1K OHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H1G0438M-ULA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-ULB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0438M-ULB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0638C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
| K4H1G0638C-UC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
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