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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4F640812D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| 中文描述： | 8米× 8位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的快速頁(yè)面模式 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 368K |
| 代理商： | K4F640812D |
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CMOS DRAM
K4F660812D,K4F640812D
TEST MODE CYCLE
Parameter
Symbol
-45
-50
-60
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
85
95
115
ns
Read-modify-write cycle time
t
RWC
120
138
160
ns
Access time from RAS
t
RAC
50
55
65
ns
3,4,10,12
Access time from CAS
t
CAC
17
18
20
ns
3,4,5,12
Access time from column address
t
AA
28
30
35
ns
3,10,12
RAS pulse width
t
RAS
50
10K
55
10K
65
10K
ns
CAS pulse width
t
CAS
17
10K
18
10K
20
10K
ns
RAS hold time
t
RSH
17
18
20
ns
CAS hold time
t
CSH
50
55
65
ns
Column Address to RAS lead time
t
RAL
28
30
35
ns
CAS to W delay time
t
CWD
37
41
43
ns
7
RAS to W delay time
t
RWD
72
78
88
ns
7
Column Address to W delay time
t
AWD
48
53
58
ns
7
Fast Page mode cycle time
t
PC
36
40
45
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle time
t
PRWC
75
81
90
ns
RAS pulse width (Fast page cycle)
t
RASP
50
200K
55
200K
65
200K
ns
Access time from CAS precharge
t
CPA
31
35
40
ns
3
OE access time
t
OEA
17
18
20
ns
3
OE to data delay
t
OED
17
18
18
ns
OE command hold time
t
OEH
17
18
20
ns
( Note 11 )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F660812D | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612C-TL50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612C-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612C-TC | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F661612C-L | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4F641612B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612B-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612B-TC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612B-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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