參數(shù)資料
型號(hào)： K4E661612B-TC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁(yè)數(shù)： 18/36頁(yè)
文件大小： 885K
代理商： K4E661612B-TC
CMOS DRAM
K4E661612B,
K4E641612B
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
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IH
-
V
IL
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A
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IH
-
V
IL
-
W
V
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V
IH
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ROW
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UPPER BYTE WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
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-
V
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V
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CRP
t
RWL
t
WP
t
CWL
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DS
t
DH
DATA-IN
t
OEH
t
OED
DQ0 ~ DQ7
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E661612B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612C 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612C-45 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612C-50 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612C-60 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4E661612C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612C-45 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612C-50 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612C-60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612C-L 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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