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參數(shù)資料
| 型號： | K4E641612C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 17/36頁 |
| 文件大小： | 884K |
| 代理商： | K4E641612C |
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CMOS DRAM
K4E661612C,K4E641612C
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
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V
IL
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W
V
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OE
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IH
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COLUMN
ADDRESS
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LOWER BYTE WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
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LCAS
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V
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-
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RWL
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
t
DS
V
IH
-
V
IL
-
DQ8 ~ DQ15
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CRP
t
CSH
t
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t
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CRP
t
WP
t
CWL
t
DH
DATA-IN
t
CRP
t
RPC
t
OEH
t
OED
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E641612C-45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612C-50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E641612C-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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