參數(shù)資料
型號： K4E641612C-50
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出
文件頁數(shù)： 13/36頁
文件大?。?/td> 884K
代理商： K4E641612C-50
CMOS DRAM
K4E661612C,K4E641612C
RAS
V
IH
-
V
IL
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UCAS
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IH
-
V
IL
-
A
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IL
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W
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V
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COLUMN
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WORD WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
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V
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DQ0 ~ DQ7
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DS
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V
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DQ8 ~ DQ15
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DATA-IN
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DS
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DH
DATA-IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E641612C-60 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612C-L 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612C-TC 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612C-TC45 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E661612C-TC50 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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參數(shù)描述
K4E641612C-60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612C-L 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641612C-T 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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