參數(shù)資料
型號(hào)： K4E170411D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 4米× 4位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁(yè)數(shù)： 14/21頁(yè)
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代理商： K4E170411D
K4E170411D, K4E160411D
K4E170412D, K4E160412D
CMOS DRAM
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
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A
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IH
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IL
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W
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COLUMN
ADDRESS
ROW
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ASR
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HYPER PAGE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
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IH
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V
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DQ0 ~ DQ3(7)
t
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RAD
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RAH
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t
CAH
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t
CAH
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ASC
VALID
DATA-IN
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VALID
DATA-IN
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DH
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DH
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DS
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CWL
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CWL
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RWL
NOTE : D
OUT
= OPEN
t
HPC
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HPC
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WCS
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RAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E170412D 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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K4E170811D 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E170812D 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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參數(shù)描述
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