參數(shù)資料
型號： JS28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 81/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
81
Figure 37.
Write State Machine—Next State Table (Sheet 4 of 6)
OTP
Setup
(4)
Lock
Block
Confirm
(8)
Lock-Down
Block
Confirm
(8)
Write RCR
Confirm
(8)
Block Address
(WA0)
9
Illegal Cmds or
BEFP Data
(1)
(C0H)
(01H)
(2FH)
(03H)
(XXXXH)
(all other codes)
WSM
Operation
Completes
Command Input to Chip and resulting
Chip
Next State
Current Chip
State
(7)
NA
Erase Suspend
N/A
Ready (BP Load 2 BP Load 2
Ready
BP Confirm if
Data load into
Program Buffer is
complete; Else
BP Load 2
Ready (Error)
(Proceed if
unlocked or lock
error)
Ready (Error)
Erase Suspend
Erase
Suspend
(Lock
Error)
Erase
Suspend
(Lock
Block)
Erase
Suspend
(Lock Down
Block)
Erase
Suspend
(Set CR)
Ready (BEFP
Loading Data)
Ready (Error)
BEFP Program and Verify Busy (if Block Address
given matches address given on BEFP Setup
command). Commands treated as data. (7)
BP Load 1
Ready (Error)
BP Confirm if Data load into Program Buffer is
complete; Else BP Load 2
Ready (Error in Erase Suspend)
Word Program Suspend in Erase Suspend
BP Load 2
Ready
Word Program Busy in Erase Suspend Busy
Word Program Busy in Erase Suspend
BEFP Busy
Ready
Erase Suspend (Lock Error)
N/A
BP Busy in Erase Suspend
BP Suspend in Erase Suspend
N/A
Setup
Busy
Suspend
Setup
BP Load 1
BP Load 2
BP
Confirm
BP Busy
BP
Suspend
Setup
BEFP
Busy
Buffered
Enhanced
Factory
Program
Mode
Lock/CR Setup in Erase
Suspend
BP in Erase
Suspend
Word
Program in
Erase
Suspend
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F256P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
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參數(shù)描述
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JS28F128P30TF75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
JS28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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