參數(shù)資料
型號： JS28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 44/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
44
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Note:
ignored during write operation.
WAIT shown deasserted and High-Z per OE# deassertion during write operation (RCR[10]=0, Wait asserted low). Clock is
Note:
WAIT shown deasserted and High-Z per OE# deassertion during write operation (RCR[10]=0, Wait asserted low).
Figure 25.
Synchronous Read-to-Write Timing
Figure 26.
Write-to-Synchronous Read Timing
Latency Count
Q
D
D
W7
R305
R304
R7
R312
R307
R16
W15
W22
W21
W9
W8
W3
W22
W21
W2
R8
R4
W6
R11
R13
R303
R3
R104
R106
R102
R105
W18
W5
R101
R2
R306
R302
R301
CLK [C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WE#
WAIT [T]
Data [D/Q]
D
Q
Q
W1
R304
R305
R304
R3
W7
W4
R307
R15
R4
W20
W19
W18
W3
R11
R303
W6
W2
R104
R106
R306
W8
W5
R302
R301
R2
CLK
Address [A]
ADV#
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS28F256P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
JS28F128P30TF75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
JS28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
JS28F128P33BF700 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays
JS28F128P33BF70A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 128MBIT 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, PARALLEL, 128MBIT, 56TSOP, Memory Type:Flash - NOR, Memory Size:128Mbit, Memory Configuration:8M x 16, Supply Voltage Min:2.3V, Supply Voltage Max:3.6V, Memory Case Style:TSOP, No. of Pins:56, Access Time:70ns, IC Interface , RoHS Compliant: Yes 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Memory 128Mb,3V,70ns,TSOP56
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*