參數(shù)資料
型號(hào)： JS28F128P30B85
廠(chǎng)商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 79/102頁(yè)
文件大小： 1609K
代理商： JS28F128P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
79
Figure 35.
Write State Machine—Next State Table (Sheet 2 of 6)
Setup
Busy
Word
Program
Suspend in
Erase
Suspend
Suspend
Word
Program
Busy in
Erase
Suspend
Setup
BP Load 1
BP Load 2
BP
Confirm
BP Busy in
Erase
Suspend
BP Busy
BP Suspend
in Erase
Suspend
BP
Suspend
BP Busy in
Erase
Suspend
Erase
Suspend
(Unlock
Block)
Setup
BEFP
Loading
Data (X=32)
Erase Suspend (Error)
Erase Suspend (Lock Error [Botch])
Ready (Error)
Ready (Error)
BP Suspend in Erase Suspend
Ready (Error in Erase Suspend)
BP Busy in Erase Suspend
BP Suspend
in Erase Suspend
BP Busy in Erase Suspend
Word Program Busy in Erase Suspend
Word
Program in
Erase
Suspend
Word Program Busy in Erase Suspend
Word Program Suspend in Erase Suspend
Lock/CR Setup in Erase
Suspend
Erase Suspend (Lock Error)
BP Confirm if Data load into Program Buffer is complete; Else BP Load 2
BP in Erase
Suspend
BP Load 2
Word Program Busy in Erase Suspend Busy
Word Program Suspend in Erase Suspend
BEFP Program and Verify Busy (if Block Address given matches address given on BEFP Setup command). Commands treated as data. (7)
BEFP
Busy
Buffered
Enhanced
Factory
Program
Mode
BP Load 1
Read
Array
(2)
Word
Program
(3,4)
Buffered
Program
(BP)
Erase
Setup
(3,4)
Buffered
Enhanced
Factory Pgm
Setup
(3, 4)
BE Confirm,
P/E
Resume,
ULB,
Confirm
(8)
BP / Prg /
Erase
Suspend
Read
Status
Clear
Status
Register
(5)
Read
ID/Query
Lock, Unlock,
Lock-down,
CR setup
(4)
(FFH)
(10H/40H)
(E8H)
(20H)
(80H)
(D0H)
(B0H)
(70H)
(50H)
(90H, 98H)
(60H)
Current Chip
State
(7)
Command Input to Chip and resulting
Chip
Next State
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JS4PS-1W Power Splitter/Combiner
JSPHS-1000 180?Voltage Variable, 700 to 1000 MHz
JSPHS-12 Phase Shifter
JSPHS-150 Narrow Band Phase Shifter 50ohm 180 Voltage Variable 100 to 150 MHz
JSPHS-26 50Ohm 180∑ Voltage Variable 18 to 26 MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JS28F128P30B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
JS28F128P30BF750 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, SIXMILE+ TSOP 1.8 LF - Trays
JS28F128P30BF75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
JS28F128P30T85 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):Q2841869
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