參數(shù)資料
型號： JS28F128P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
文件頁數(shù)： 43/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： JS28F128P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
43
Note:
WAIT deasserted during asynchronous read and during write. WAIT High-Z during write per OE#
deasserted.
Figure 23.
Asynchronous Read-to-Write Timing
Q
D
R5
W7
W4
R10
R7
R6
R17
R15
W6
W3
W2
R9
R4
R8
R3
W8
W5
R1
R2
Address [A]
CE# [E}
OE# [G]
WE# [W]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
Figure 24.
Write-to-Asynchronous Read Timing
D
Q
W1
R9
R8
R4
R3
R2
W7
W4
R17
R15
W14
W18
W3
R10
W6
W2
R1
W8
W5
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
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PDF描述
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參數(shù)描述
JS28F128P30B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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