參數(shù)資料
型號： JDV2S06S
廠商： Toshiba Corporation
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type
中文描述： 東芝二極管外延硅平面型
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： JDV2S06S
JDV2S06S
2002-01-23
1
TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S06S
VCO for UHF Band Radio
High Capacitance Ratio : C
1V
/C
4V
= 2.0 (typ.)
Low Series Resistance : r
s
= 0.27
(typ.)
This device is suitable for use in a small-size tuner.
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Reverse voltage
V
R
I
R
1 A
10
V
Reverse current
I
R
V
R
10 V
3
nA
C
1V
V
R
1 V, f 1 MHz
15
16
17
Capacitance
C
4V
V
R
4 V, f 1 MHz
7.0
8.0
8.5
pF
Capacitance ratio
C
1V
/C
4V
1.8
2.0
Series resistance
r
s
V
R
1 V, f 470 MHz
0.27
0.45
Note: Signal level when capacitance is measured: V
sig
500 mVrms
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1K1A
Weight: 0.0011 g (typ.)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
10
V
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
A
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PDF描述
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JDV2S08S VCO for UHF Band Radio
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