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參數(shù)資料
| 型號： | JDV2S01E |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | VCO for UHF band |
| 中文描述： | 波段超高頻壓控振蕩器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | JDV2S01E |
JDV2S01E
2002-01-16
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S01E
VCO for UHF band
Small Package
High Capacitance Ratio: C
1V
/C
4V
= 2.0 (typ.)
Low Series Resistance: r
s
= 0.5
(typ.)
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
10
V
Junction temperature
T
j
125
°C
Storage temperature range
T
stg
55~125
°C
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Reverse voltage
V
R
I
R
1 A
10
V
Reverse current
I
R
V
R
10 V
3
nA
C
1V
V
R
1 V, f 1 MHz
2.85
3.15
3.45
Capacitance
C
4V
V
R
4 V, f 1 MHz
1.35
1.57
1.81
pF
Capacitance ratio
C
1V
/C
4V
1.8
2
Series resistance
r
s
V
R
1 V, f 470 MHz
0.5
0.7
Note: Signal level when capacitance is measured. V
sig
100 mV
rms
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 0.0014 g
F A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JDV2S01S | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| JDV2S02E | VCO for UHF band |
| JDV2S02FS | VCO for the UHF band |
| JDV2S05E_07 | Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF band |
| JDV2S05E | VCO for UHF band |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JDV2S01E(TH3,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Diode VAR Cap Single 10V 2.85pF 2-Pin ESC T/R |
| JDV2S01E-07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF band |
| JDV2S01ETH3FT | 功能描述:變容二極管 VARICAP DIODE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 電容:5.2 pF 反向電壓:10 V 正向連續(xù)電流:20 mA 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-79 封裝:Reel |
| JDV2S01ETH3T | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:VAR CAP SGL 10V 2.85PF 2PIN ESC - Bulk |
| JDV2S01ETPH3F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:VAR CAP - Tape and Reel |
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