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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANTXV2N6760 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | JANTXV2N6760 |
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
JANTX2N6760, JANTXV2N6760 Device
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| JANTXV2N6764 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 38A 3PIN TO-204AE - Bulk |
| JANTXV2N6764T1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH |
| JANTXV2N6766 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA 制造商:International Rectifier 功能描述:100V THRU 500V, UP TO 38A, N-CH, ENHANCEMENT MODE MOSFET PWR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET (NFET) - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:to-3 200V, 35A, 0.085 ohm |
| JANTXV2N6766T1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N6766T1JANTXV - Bulk |
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