參數(shù)資料
型號(hào)： JANTX2N6849U
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（馬鞍山的HEXFET場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： JANTX2N6849U
www.irf.com
5
IRFE9130, JANTX-, JANTXV-, JANS-, 2N6849U Device
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
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PDF描述
JANTXV2N6849U HEXFET Transistor(HEXFET MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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