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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANSG2N7467U2 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | JANSG2N7467U2 |
IRHNA57Z60, JANSR2N7467U2
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
12V
9.0V
6.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
12V
9.0V
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
5.0
5.5
V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
75 A
25V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANSH2N7467U2 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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