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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANSF2N7482T3 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET的通孔（對(duì)257AA） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | JANSF2N7482T3 |
IRHY57Z30CM, JANSR2N7482T3
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
1
10
100
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
10V
6.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
9.0V
6.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
1
10
100
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 150 C
T = 25 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
12V
22A
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