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參數(shù)資料
| 型號： | JANSF2N7422U |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | JANSF2N7422U |
IRHN9150, IRHN93150,JANSR-,JANSF-,2N7422U Devices
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
10
100
5
6
7
8
9
10
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
-
T = 25 C
T = 150 C
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-12V
-22A
-
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PDF描述 |
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