參數(shù)資料
型號： JANSF2N7382
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 121K
代理商： JANSF2N7382
IRHY9130CM, IRHY93130CM Device
Radiation Characteristics
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
TOP
BOTTOM
-4.9A
-7.0A
-11A
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-12V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
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PDF描述
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