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參數(shù)資料
| 型號： | IZTH6N90 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | Standard Power MOSFET |
| 中文描述： | 標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | IZTH6N90 |
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTH 6N90
IXTM 6N90
IXTH 6N90A
IXTM 6N90A
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
2.50
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
CES
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
I
D
- Amperes
0
2
4
6
8
10
R
D
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
V
GS
- Volts
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
6V
V
GS
= 10V
6N90
7V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A
6N90A
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