參數(shù)資料
型號(hào)： IXTT64N25P
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 64 A, 250 V, 0.049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 577K
代理商： IXTT64N25P
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
2
4
6
8
V
D S
- Volts
10
12
14
16
18
20
I
D
V
GS
= 10V
9V
7V
6V
8V
5V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125
o
C
0
8
16
24
32
40
48
56
64
0
1
2
3
V
D S
- Volts
4
5
6
7
8
I
D
V
GS
= 10V
9V
8V
5V
6V
7V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
8
16
24
32
40
48
56
64
0
0.5
1
1.5
V
D S
- Volts
2
2.5
3
3.5
4
I
D
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
6V
5V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 64A
I
D
= 32A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
0
30
60
90
120
150
180
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
IXTQ 64N25P
IXTT 64N25P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTQ69N30 PolarHT Power MOSFET
IXTQ69N30P PolarHT Power MOSFET
IXTT69N30P PolarHT Power MOSFET
IXTR200N10P PolarTM HiPerFET Power MOSFET
IXTT11P50 A/D Converter (A-D) IC; Resolution (Bits):12; ADC Sample Rate:100kSPS; Input Channels Per ADC:1; DNL +/-:0.5LSB; INL +/-:0.5LSB; Data Interface:Serial, Parallel; Package/Case:44-PLCC; Leaded Process Compatible:No
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參數(shù)描述
IXTT68P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT69N30P 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT6N120 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT6N150 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTT72N20 功能描述:MOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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