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參數資料
| 型號： | IXTT64N25P |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PolarHT Power MOSFET |
| 中文描述： | 64 A, 250 V, 0.049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA |
| 封裝： | TO-268, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 577K |
| 代理商： | IXTT64N25P |
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 13. M axim um Transie nt The rm al Res is tance
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IXTQ 64N25P
IXTT 64N25P
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ69N30 | PolarHT Power MOSFET |
| IXTQ69N30P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTT69N30P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTR200N10P | PolarTM HiPerFET Power MOSFET |
| IXTT11P50 | A/D Converter (A-D) IC; Resolution (Bits):12; ADC Sample Rate:100kSPS; Input Channels Per ADC:1; DNL +/-:0.5LSB; INL +/-:0.5LSB; Data Interface:Serial, Parallel; Package/Case:44-PLCC; Leaded Process Compatible:No |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTT68P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTT69N30P | 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTT6N120 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTT6N150 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
| IXTT72N20 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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