參數(shù)資料
型號(hào)： IXTQ52N30P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 52 A, 300 V, 0.066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 584K
代理商： IXTQ52N30P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTQ 52N30P
IXTT 52N30P
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 150V
I
D
= 26A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
4
4.5
5
5.5
V
G S
- Volts
6
6.5
7
7.5
8
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
I
D
- Amperes
50
60
70
80
90
100
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
V
S D
- Volts
1
1.2
1.4
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forward-Bias Safe
Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
25μs
1ms
DC
T
C
= 25oC
R
DS
(on)
Limit
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT52N30P PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25 PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25P PolarHT Power MOSFET
IXTT64N25P PolarHT Power MOSFET
IXTQ69N30 PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ60N20L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ60N20T 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
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