參數(shù)資料
型號： IXTQ52N30P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET
中文描述： 52 A, 300 V, 0.066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 584K
代理商： IXTQ52N30P
2004 IXYS All rights reserved
IXTQ 52N30P
IXTT 52N30P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
V
D S
- Volts
15
20
25
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
8V
5V
6V
7V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs.
Junction Temperature
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
I
D
= 52A
I
D
= 26A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D25
Value vs. I
D
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT52N30P PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25 PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25P PolarHT Power MOSFET
IXTT64N25P PolarHT Power MOSFET
IXTQ69N30 PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ60N20L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ60N20T 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
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