參數(shù)資料
型號： IXTQ100N25P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 100 A, 250 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 617K
代理商： IXTQ100N25P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
IXTK 100N25P
Symbol
Test Conditions Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
40
56
S
C
iss
C
oss
C
rss
6300
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1150
240
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
26
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 3.3
(External)
100
28
ns
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
185
43
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
91
nC
R
thJC
R
thCK
R
thCK
0.21 K/W
TO-3P
0.21
K/W
TO-264
0.15
K/W
Source-Drain Diode Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min.
typ.
Max.
I
S
V
GS
= 0 V
100
A
I
SM
Repetitive
250
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
= 25 A
-di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100 V
200
ns
Q
RM
3.0
μ
C
TO-268 Outline
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
1 2 3
TO-264 Outline
TO-3P Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT100N25P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTK102N30P PolarHT Power MOSFET
IXTK120N25P PolarHT Power MOSFET
IXTK120N25 High Current MegaMOSFET
IXTK128N15 High Current Mega MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTQ102N15T 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ102N20T 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ102N25T 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ10P50P 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ110N055P 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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