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參數(shù)資料
| 型號： | IXTM11N80 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | MegaMOSFET |
| 中文描述： | 11 A, 800 V, 0.95 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | IXTM11N80 |
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.5
C
rss
C
oss
100ms
10ms
1ms
100μs
10μs
Limited by R
DS(on)
C
iss
Single Pulse
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
2
4
6
8
10
V
DS
= 400V
I
D
= 13A
I
G
= 10mA
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM13N80 | MegaMOSFET |
| IXTH13N110 | MEGA MOS FET |
| IXTH11P50 | Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
| IXTH12N120 | Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage |
| IXTH12N50A | Standard Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTM11N90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
| IXTM11N95 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
| IXTM11P15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
| IXTM11P20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
| IXTM11P45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
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