參數(shù)資料
型號： IXTK33N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： High Current MegaMOSFET
中文描述： 33 A, 500 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： IXTK33N50
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
10
100
I
D
0.1
1
10
100
Pulse Width - Seconds
0.001
0.01
0.1
1
10
R
J
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
V
- Volts
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
300
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
Vd= 300 V
= 33 A
= 10 mA
I
G
F = 1MHz
F = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
ds
I
D
T
C
= 25°C
10 ms
1 ms
100 ms
DC
500
Single Pulse
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure 10. Forward Biased SOA
Figure 9. Source Current vs. Source-to-
Drain Voltage
IXTK 33N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTK62N25 High Current MegaMOSFET
IXTM12N45 12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTM12N50 IC, I2S-SPDIF CONVERTER
IXTH12N45 12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTH12N50 IC ARM720T MCU 90MHZ 204-TFBGA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTK40P50P 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK46N50L 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK550N055T2 功能描述:功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXTK5N250 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
IXTK600N04T2 功能描述:功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*