型號(hào): | IXTH11P45 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| P通道| 450V五(巴西)直| 11A條(?。﹟對(duì)218VAR |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大小: | 220K |
代理商: | IXTH11P45 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXTM10N60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AC |
IXTM10N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
IXTM15N60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-3 |
IXTH15N60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
IXTH17P25 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXTH11P50 | 功能描述:MOSFET -11 Amps -500V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH120P065T | 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH12N100 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXTH12N100L | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |