參數(shù)資料
型號(hào): IXTH11P45
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 450V五(巴西)直| 11A條(?。﹟對(duì)218VAR
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 220K
代理商: IXTH11P45
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTM10N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AC
IXTM10N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3
IXTM15N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-3
IXTH15N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH17P25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH11P50 功能描述:MOSFET -11 Amps -500V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH120N15T 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH120P065T 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH12N100 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH12N100L 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube