參數(shù)資料
型號(hào): IXTH17P25
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 250V五(巴西)直| 17A條(?。﹟對(duì)218VAR
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
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代理商: IXTH17P25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH19P15 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
IXTH19P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR
IXTH10N80 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
IXTH10N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
IXTH11N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH180N085T 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH180N10T 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH182N055T 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH18N65 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-218VAR
IXTH19N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR